A l'heure actuelle, les défis relatifs à la fabrication de ces cellules de nouvelle génération restent relativement nombreux. Le premier d'entre eux est l'obtention d'un alliage de nitrure de gallium-indium de bonne qualité sur une épaisseur significative dans une gamme de composition gallium-indium suffisamment large. Un autre de ces défis est le dopage de ce semi-conducteur, afin de lui conférer les propriétés nécessaires à la réalisation d'une cellule solaire. Un troisième est la détermination de la structure d'une cellule solaire à base d'InGaN qui offrirait le meilleur rendement.

Notre équipe a récemment proposé, dans un article publié dans ''Materials Science in Semiconductor Processing'', une nouvelle structure pour une cellule solaire à base d'InGaN. C'est une structure très simple, connu sous le nom de Schottky, qui est connue dans le Silicium de tous les amateurs d'électronique. Cette même structure, réalisée en InGaN avec la composition et le dopage adéquats, est à même, selon nos simulations, d'offrir des efficacités aussi bonnes, sinon meilleures, que des structures plus complexes comme la jonction PN. L’intérêt particulier de la structure Schottky par rapport à la jonction PN est la suppression du besoin du dopage P, lequel est particulièrement difficile à réaliser dans InGaN.